主要参数：
Symbol符号 Parameter 参数 Value数值 Units单位
VCBO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 -60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压 -50 V
VEBO Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 -5 V
IC Collector Current 集电极电流 -150 mA
IB Base Current 基极电流 -50 mA
PC Collector Power Dissipation 耗散功率 400 mW
TJ Junction Temperature 结温 125 ℃
TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -65 ~ 150 ℃
电参数：
Symbol 符号 Parameter 参数 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 平均 Max 最大 Units 单位
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压 IC= -100μA, IE=0 -50 - - V
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压 IC= -10mA, IB=0 -50 - - V
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压 IE= -10μA, IC=0 -5 - - V
ICBO Collector Cut-off Current 集电极截止电流 VCB=60V, IE=0 - - -0.1 μA
IEBO Emitter Cut-off Current 射极 截止电流
VEB=5V, IC=0 - - -0.1 μA
hFE1 hFE2 DC Current Gain直流电流增益 VCE=6V, IC=2mA VCE=6V, IC=150mA
70 25
- 400 -
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压 IC=100mA, IB=10mA - -0.1 -0.3 V
VBE (sat) Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压 IC=100mA, IB=10mA - - -1.1 V
fT Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 VCE=10V, IC=1mA 80 - - MHz
Cob Output Capacitance 输出电容 VCB=10V, IE=0, f=1MHz - 4.0 7.0 pF
NF Noise Figure 噪声系数 VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz - 0.5 6.0 db
