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| 供应美国MMR K2500 变温变磁场霍尔效应测试仪器
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| 产品型号：K2500 |
1. 设备名称： 霍尔效应测试仪
2. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3. 设备明细：
3-1 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-2 磁场：
3-2-1 磁场强度： 0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选）
3-2-2 磁场类型： 电磁体
3-2-3 磁场均匀性： 磁场不均匀性＜±1 %
3-3 测试样品：
3-3-1 样品测试仓： 全封闭、带玻璃窗口
3-4 温度：
3-4-1 温度区域： 80K ~730K
3-4-2 温控精度： 0.1K
3-4-3 温控稳定性： ±0.1 K
3-5 电阻率范围： 10-6~1013 Ohm*cm
3-6 电阻范围： 10 m Ohms~ 10G Ohms
3-7 载流子浓度： 102~1022cm-3
3-8 迁移率： 10-2~109 cm2/volt*sec
3-9 输入电流：
3-9-1 电流范围： 0.1 pA~10mA
3-9-2 电流精度： 2%
3-10 输入电压：
3-10-1 电压范围： ±2.5V,最小可测到6×10-6V
3-10-2 电压分辨率： 3×10-7V
3-10-3 电压精度： 2%
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| 参考价格：0 |
| 公司其它产品：
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| 上海弘柏生物科技有限公司 |
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地址： |
上海·上海市浦东新区福山路309号901室
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| 邮编： | 200072 |
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