二、分立器件图示仪系统指标
a-k 极间加压范围: ±2.500mv--2000v
a-k 极间测流范围: ±100pa--49.90a
a-k 极间加流范围: ±100na--49.90a
a-k 极间测压范围: ±2.500mv--2000v
g-k 极间加压范围: ±2.500mv--20v
g-k 极间测流范围: ±100pa--10a
g-k 极间加流范围: ±100na--10a
g-k 极间测压范围: ±2.500mv--20v
a-k 极间加/测压精度: 1%+10mv
a-k 极间加/测流精度: 1%+10na+20pa/v
g-k 极间加/测压精度: 1%+5mv
g-k 极间加/测流精度: 1%+10na+20pa/v
电参数测试重复性： 2%
最大电压分辨率: 1mv
最大电流分辨率: 100pa
三、分立器件图示仪可实现曲线（13类器件32种曲线）
1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金属-氧化物-半导体 场效应管）
id vs vds (在vgs范围内)
id vs vgs (在一个固定的id)
is vs vsd
rds vs vgs (在一个固定的vds)
rds vs id (在vgs范围内)
2、晶体管（transisitor）
hfe vs ic
bvce(o.s.r.v) vs ic
bvebo vs ie
bvcbo vs ic
vce(sat）(在一定的ic/ib比率)
vce(sat) vs ib（在ic的范围内）
vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率)
vbe(on) vs ic (在一定的vce)
3、igbt（n-channel＆p- channel）（绝缘栅双极晶体管）
ic vs vce (在vge范围内)
ic vs vge (在一定的vce)
ices vs vce
if vs vf
4、diode (二极管)
if vs vf
ir vs vr
5、zener (稳压管)
if vs vf
ir vs vr
6、triac (双向可控硅)
it vs vt(+/-) (在一个固定的ig)
7、scr (单项可控硅)
it vs vtm (在一个固定的ig)
8、ssvop（固态过压保护器）
it vs vt(+/-) (在一个固定的ibo)
9、sidac（高压触发二极管）
it vs vt(+/-) (在一个固定的ibo)
10、diac(双向触发二极管)
id vs vf(+/-)
11、regulator(稳压器)
electronic load vs v out(在一个固定最大电流)
12、j-fet(（n-channel＆p- channel）) (结型场效应管)
id(off) vs vds(在vgs范围内)
id(off) vs vgs（在一个固定的vds）
id(on) vs vds(在vgs范围内)
id(on) vs vgs（在一个固定的vds）
13、curve tracer mode only(曲线跟踪模式)
ic vs vce（在一个固定的ib）
