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Dynexsemi(丹尼克斯)IGBT功率模块
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产品型号:DIM400GCM33-F |
Dynexsemi(丹尼克斯)IGBT功率模块 ,供应SEMIKRON(西门康)IGBT驱动电路板SKYPER32PRO全新原装专业经销西门康、优派克(英飞凌)、富士、三菱、三社、dynexsemi(丹尼克斯)产功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅模块。
丹尼克斯半导体有限公司位于英国林肯市,是丹尼克斯电力电子股份有限公司的唯一运营实体。公司有专用厂房9000平方米,集芯片制造、封装、测试、研发和营销为一体。
公司业务始于1956年,历经以下经营名称:
AEI半导体有限公司(AEI)
马可尼电子器件有限公司(MEDL)
GEC-Plessey半导体有限公司(GPS)
主要产品为:
大功率双极分立半导体器件
大功率IGBT模块
高压电力电子组件及元件
高可靠性硅蓝宝石集成电路
我们的客户主要集中在以下领域的电子设备制造商和维修服务商:
工业领域:
输配电
再生能源与配电
重工业,如:钢铁、采矿业
工厂自动化
轮船驱动和船载系统
铁路牵引和车载系统
飞机电力电子装置
航天卫星装置
质量保证
作为一家大领先的功率半导体器件和功率组件供应商,丹尼克斯半导体执行全面质量管理体系,旨在为客户提供最高水准的产品和服务。该体系是一个基于流程的方法,通过持续改进我们的技术、工艺和设施,注重于满足客户的要求。丹尼克斯通过建立、实施和持续改进环境管理体系致力于环境保护并将其作为良好的商业运营不可分割的一部分。
丹尼克斯半导体有限公司拥有ISO9001:2008质量管理体系证书和ISO 14001:2004环境管理体系证书
ISO9001:2008质量管理体系证书
ISO 14001:2004环境管理体系证书
丹尼克斯符合欧盟指令“限制有害物质指令”(ROHS)
符合RoHS的一般性声明
丹尼克斯半导体环境质量方针
环境方针
质量方针
双极产品
丹尼克斯双极产品由普通晶闸管(SCR)、高压整流二极管、门极可关断晶闸管(GTO)及配套二极管、脉冲功率晶闸管。
普通晶闸管的特点是利用最新的离子注入(I2)技术,显著降低了导通损耗和热阻并大幅增加了功率承载能力。器件电压范围为1200V到8500V,电流范围为500A到7000A。
丹尼克斯二极管非常适用于IGBT逆变器前端整流器,适用于超高电流装置,如电解铝、轨道地面整流器。电压可达6kV,电流可达11kA。
丹尼克斯长期以来供应GTO以服务于新造机车和现有电力机车的维修和翻新。产品系列满足干线和轻轨牵引系统及辅助变流器的应用。
脉冲功率晶闸管是一种新兴技术,丹尼克斯生产三种不同额定电流的4500V非对称器件,能够很好地处理电压承载能力和极快导通速度之间的平衡。
IGBT模块
丹尼克斯提供全系列的高压IGBT模块和配套二极管模块。产品系列包括额定电压为1200V-6500V、额定电流从100A到3600A的模块。模块电路配置包括单管、双管、斩波、半桥和双向供选择。所有的丹尼克斯模块均按照市场上最苛刻的可靠性和稳健性要求进行设计和制造。IGBT技术由丹尼克斯研发团队自主开发并由林肯工厂精制的硅片加工和封装设备进行制造,确保了从芯片到测试出厂模块全部制造流程受控。丹尼克斯高压模块应用领域包括铁路牵引、轮船驱动、工业电机驱动和风力发电。
功率组件
功率组件系统解决方案团队Dynex的工程师能直接接触到公司的应用、测试和产品设计部门,从而提供最优化解决方案。为满足客户电气、热性能和机械性能方面的特殊要求,功率组件部门可以设计和制造多种系统。通过使用丹尼克斯半导体器件和对应用的全面理解,丹尼克斯具有长期提供系统产品的经验,从而保证团队向客户提供最优的功率组件解决方案,包括保护和控制装置。设计了针对晶闸管、GTO、二极管和IGBT装置的风冷和液体冷却组件。
硅蓝宝石(SOS)集成电路
丹尼克斯在英国工厂具备完整的太空器件制造能力是其独特的优势,其设施在世界太空器件市场处于领先地位,具有20年为太空项目供应产品的经验。在所有的硅半导体技术中,只有SOS提供必要的防单事件干扰、瞬时和总剂量辐射危险的功能。丹尼克斯太空产品可以提供综合的总剂量辐照数据。质量体系完全符合美国MIL-STD833的所有要求并通过了ISO9001认证。对于不但能够抗辐射并且确保持续运行的太空系统的需求在持续增加。在所有目前硅基半导体技术产品中,只有SOS满足对单离子翻转、瞬时辐射和总剂量辐射危害所必须的抵抗力并且满足对闩锁效应的总免疫力。Dynexsemi(丹尼克斯)IGBT功率模块
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参考价格:1800 |
| 公司其它产品:
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| 北京健科芯坤科技有限公司 |
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地址: |
北京·北京市海淀区清河朱房路16号
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| 邮编: | 100085 |
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