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东莞市普隆电子有限公司 http://www.pulom.com
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IGBT突波吸收电容器PULOM
产品型号:DTS
缓冲线路,可控硅整流线路,开关电源保护线路。 IGBT,MOSFET突波吸收 。
高电压,高脉冲,高du/dt

材料特性
电容结构: 双层金属化膜,内部串联结构
封装: 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 适合于各种IGBT保护 。
(可按客户需求定制特殊规格)
电气特性
电容量: 0.001 to 1.5μF, 参考表格数据
额定电压: 700 to 2000 Vdc
损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
绝缘电阻: 3000s,s= MΩ. μF 测试条件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐电压: 1.8Ur (DC)测试条件 2s,t 25±5℃,1Min
工作温度: -40~+85℃


参考价格:0
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