CAE/模拟仿真展厅 |
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CFD-Plasma 等离子体CFD分析工具
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CFD-Plasma提供对ICP(感应耦合等离子体)和CCP(电容耦合等离子体)形成过程的参数化设计,用于半导体制造业,应用范围包括低压等离子体,热气态等离子体。它可以用于PECVD,ETCH,Wafer Chuck等离子体反应,大范围ICP发射源以及HDP、CVD等的设计。
特色:
对每种中性或带电离子成分可选择质量守恒方程进行设计分析,对等离子混合体的整体平均速度和热传递情况则提供了动量方程模型
在准中性条件下计算ICP电子密度和静电场参数
电子模型采用CCP传输方程求解,静电场模型采用Poisson方程
对静电场求解Maxwell方程,计算自阻抗能量沉积
支持用户定义标准的Arrhenius类型常数,具有电子碰撞交叉截面的数据库,稀薄气体流动滑移边界层条件等
包含了碰撞外壳模型以计算偏振晶片上所有离子核素离子能量分布。
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| 北京开迪数字彷真科技有限公司 |
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地址: |
北京·海淀区万柳光大花园3-0305室
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